GlobalFoundries, EUV olmadan 7nm sınıfı performans hedefleyen FDX Fusion sürecini anlattı
Şirketin başkan yardımcısı Sudipto Bose'a göre süreç, düzlemsel transistörler ve DUV litografisiyle 2030'da seri üretime ulaşmayı planlıyor.
GlobalFoundries, FDX Fusion adını verdiği bir FD-SOI süreci üzerinde çalışıyor. Şirket başkan yardımcısı Sudipto Bose, bu sürecin EUV yerine derin ultraviyole (DUV) litografisi ve düzlemsel transistörler kullanarak 7nm sınıfı performansa ulaşabileceğini söylüyor.
Şirketin açıklamasına göre süreç yaklaşık 8nm sınıfı mantık yoğunluğu sunacak ve FinFET düğümlerine kıyasla tasarım ve üretim maliyetlerini düşürecek. Bununla birlikte transistör yoğunluğu, 7nm sınıfı FinFET ürünlerinin altında kalacak.
Bose, FDX Fusion'ın yaklaşık 500 GHz fT/fmax değerine ulaşmasını ve mevcut 22FDX nesline kıyasla yaklaşık 2,2 kat dijital kapı yoğunluğu sağlamasını bekliyor. Hedef pazarlar arasında bağlantı çözümleri, otomotiv radarları, çıkarım yapabilen uç MCU'lar ve veri merkezi sinyal yolları yer alıyor. Ticari üretimin 2028'de başlaması, yüksek hacimli üretimin ise 2030 için planlandığı belirtiliyor.
Neden önemli
EUV ekipmanına bağımlı olmadan ileri düğüm performansı hedeflenmesi, daha küçük üreticiler ve düşük maliyetli çiplere ihtiyaç duyan uygulamalar için farklı bir yol açabilir. Radar, bağlantı ve uç cihazlar gibi alanlarda 500 GHz düzeyindeki fT/fmax hedefi, bu uygulamaların hangi frekanslarda çalışabileceğini gösteriyor. Ancak yoğunluk 7nm FinFET ürünlerinin gerisinde kalacağı için sonuçların hangi uygulamalarda yeterli olacağı, seri üretim öncesinde görülecek.
Önemli mi, abartı mı?
Bu haber gerçekten önemli mi, yoksa abartı mı? Başkalarının ne dediğini görmeden önce sen oy ver.